EUVリソグラフィ

概要

極端紫外光を用いてマスク上の回路パターンをウェハに転写する露光技術。ASMLによれば、EUVリソグラフィが使う光の波長は13.5ナノメートルで、DUV光の14分の1以下にあたる。波長が短いほど細いパターンを解像できるため、DUV露光でマルチパターニングを重ねて作っていた寸法を、より少ない工程で形成できる。

技術的な要点

光源はレーザー生成プラズマ方式である。ASMLの説明では、直径25マイクロメートル程度の溶融スズ液滴を毎秒70メートルの速度で射出し、まず出力の低いパルスで液滴を平たく潰す。続いて強いパルスで潰した液滴を蒸発させてプラズマを作り、そこから放射されるEUV光を取り出す。この一連の動作を毎秒5万回繰り返す。液滴の生成とレーザー照射をこの頻度で同期させ続ける必要があり、光源部だけでも装置の複雑さが際立つ。

産業での位置づけ

先端ロジックと先端DRAMの量産で採用が進んでおり、装置の供給者は限られる。露光装置そのものだけでなく、マスクブランク、レジスト、計測・検査、光源用の部品といった周辺領域にも技術的な難所が分散している。装置1台の価格と設置に要する期間が大きいため、導入計画がそのまま各社の生産能力の上限を規定する構造になっている。