グラフェンフォトニクス

Graphene Photonics

光導波路の上にグラフェン層を載せ、変調器・受光器・スイッチを構成する集積フォトニクス技術。電界吸収型と電界屈折型の両方の変調が可能で、10のマイナス3乗を超える電気光学的な屈折率変化が得られる。

詳細

Nature Reviews Materials のレビューは、グラフェンを用いた集積フォトニクスを、光導波路の上にグラフェン層を配置することで「次世代のデータコム・テレコム向けの変調器、検出器、スイッチ」を実現する基盤として記述している。

主な特徴として次の点が挙げられている。

  • 電界吸収型と電界屈折型の両方の変調が可能で、電気光学的な屈折率変化は10のマイナス3乗を超える
  • 電圧制御による光アドドロップ多重が可能で、マイクロ共振器の熱的なデチューニングに要する電流消費を不要にできる
  • 熱電効果を用いた超高速の光検出器により、トランスインピーダンスアンプなしで電圧を発生させられる

想定される適用先は、ボード内接続、データセンター間接続、アクセス網、メトロ・コア・地域・長距離の光通信に及ぶ。