Forge Nano Transforms Advanced Semiconductor Chip Manufacturing with High-Speed 1000:1 Aspect Ratio Atomic Layer Deposition Coatings
Forge Nano は、アスペクト比1000:1という極端な半導体構造にも高速で被膜を形成できる原子層堆積（ALD）技術の進展を発表した。同社が特許を持つ乱流方式は量産ウエハ上で実証され、カナダの半導体センター C2MI による検証を受けており、競合手法の約10倍の速度で被覆均一性を達成するとしている。同社は、この技術が先端チップ製造のボトルネックを解消し、3D NAND の高密度化、DRAM の微細化、AI 向け半導体の製造コスト低減に寄与すると説明している。
Forge Nano 公式リリース（GlobeNewswire）で全文を読む ↗
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