原子層エッチング

Atomic Layer Etching (ALE)

表面の改質と改質層の除去という2つの自己制限的な工程を交互に繰り返し、材料を層単位で取り除くエッチング手法。1サイクルあたりの除去量は etch per cycle(EPC)で表す。

詳細

原子層エッチング(ALE)は、次の2段階を1サイクルとして繰り返す。

  1. 改質 — 前駆体ガスを基板の最表面に化学吸着させる
  2. 除去 — 改質された層だけを選択的に取り除く。下地は傷めない

各段階の間にはパージ工程を挟み、残留した前駆体を排出する。それぞれの反応が自己制限的であるため、1サイクルで取り除かれる量が決まり、深さ方向を原子スケールで制御した層状の材料除去ができる。この1サイクルあたりの除去量を etch per cycle(EPC)と呼ぶ。

原子層堆積(ALD)が膜を1層ずつ積むのに対し、ALE は1層ずつ取り除く操作にあたる。