電子ビームリソグラフィ

性能

米国国立標準技術研究所（NIST）は、電子ビームリソグラフィについて横方向分解能10nm、パターン配置精度1nm、描画フィールド1mmがいずれも実現可能だとしている。

性能を左右する要因

これらの性能を得られるかは、パターン定義とフラクチャリング、基板・マスク材料、露光前後の処理、アライメント用フィーチャの定義といった試料固有の要因、およびリソグラフィ装置の動作の詳細に依存する。

NISTの取り組み

NISTは、複雑な多層パターンを簡潔なスクリプト言語で設計できる無償ソフトウェア「Nanolithography Toolbox」を公開している。横方向分解能の向上に向けては、電子ビームレジストの露光を模擬する物理モデルの開発と、エッジラフネス測定のための走査型電子顕微鏡・走査型プローブ顕微鏡法の高度化を進めている。