マイクロLED

構造

マイクロLEDは、赤色をAlGaInP/GaAsなどのIII-V族、緑色と青色をInGaN/GaNなどのIII族窒化物ヘテロ構造で構成する自発光素子である。素子はMOCVDまたはMBEでエピタキシャル成長され、活性領域は多重量子井戸で構成される。

主要な課題

現在の主要な技術課題は、サイズ依存の効率低下と、量産移載（マストランスファ）技術の成熟度の低さの2点である。

サイズ依存の効率低下

チップサイズが20µmを下回ると、側壁での表面欠陥に起因する非輻射再結合の割合が増えるためEQE（外部量子効率）が急激に低下する。この影響は表面再結合速度が大きく拡散長の長い赤色AlGaInPマイクロLEDで特に顕著で、15µmチップでEQEは約10%まで下がる。同条件でInGaN系の青・緑はそれぞれ約40%、30%を維持する。