OpenLight、Tower Semiconductor PH18DA InP-on-Silicon プラットフォームによる NewPhotonics® 800G および 1.6T レーザー集積 PIC で初の量産受注を獲得

OpenLight Receives First Volume Production Orders for NewPhotonics® 800G and 1.6T Laser-Integrated PICs with Tower Semiconductor PH18DA InP-on-Silicon Platform

OpenLight は、Tower Semiconductor と共同開発したリン化インジウム系プラットフォーム PH18DA を用いたレーザー集積型光集積回路について、初の量産受注を獲得したと発表した。同社はこれを先端開発から製造段階への移行を示すものとし、大量生産に向けたプラットフォームのスケーラビリティが裏付けられたとしている。NewPhotonics の設計は OpenLight の PDK を用いて能動素子と受動素子をモノリシックな光回路に集積し、AI やハイパースケールデータセンター網に向けて帯域密度、電力効率、実装面積の改善を狙う。

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