SweGaN presents enhanced power performance of RF GaN using a new QuanFINE® architecture at ICNS-15 Conference
SweGaN は、マルメで開催される第15回国際窒化物半導体会議（ICNS-15）での発表を告知した。R&Dマネージャーの Anders Lundskog 氏が、RF性能を高める AlGaN バックバリアを備えた特許技術 QuanFINE GaN HEMT エピタキシャルソリューションの成果を発表する。プロセスエンジニアの David Dai 氏は GaN-on-SiC 構造の再生プロセスに関する研究を発表する。