SweGaN

QuanFINE技術でSiC基板上GaNエピウェハを受託製造する

概要

独自のQuanFINE技術でSiC基板上にGaNをエピタキシャル成長させたウェハを、顧客仕様に合わせて製造する半導体材料メーカー。デバイス性能を高めつつ消費電力を抑えることを狙う成長技術で、5G通信・衛星通信・防衛レーダー・航空宇宙といったRF用途と、EVやデータセンター向けの高耐圧パワースイッチに供給する。顧客はIDMやファウンドリ、ファブレス、システムメーカー。Ericsson、Saab、Chalmers工科大学とは6G向けGaNパワーアンプで協業する。Linköping大学発で、スウェーデンのLinköpingに拠点を置く。

創業の背景

SweGaNは2014年に、Erik Janzén教授が率いるリンシェーピング大学の研究グループからスピンオフして生まれた。共同創業者のJr-Tai Chen博士は当時博士課程の学生で、GaN系高電子移動度構造のMOCVD成長に関する研究を事業化することに意欲を持っていた。2018年に独自のバッファーフリーGaN-on-SiCエピウェハ「QuanFINE」を投入し、2020年に150mmウェハ、2022年にシリーズAを経て、Jr-Tai Chen氏がCEOに就いた。2024年にはリンシェーピングのInnovative Materials Arenaで新工場を稼働させた。

出典: swegan.se / swegan.se