Wide Bandgap Semiconductor (WBG)
ワイドバンドギャップ（WBG）半導体は、バンドギャップがシリコン（Si）より大きい半導体材料の総称で、パワーエレクトロニクスではSiCとGaNが主に使われる。
米国エネルギー省（DOE）の技術評価によれば、Siのパワー半導体は材料の基本的な限界に近づいており、WBG半導体はより高い電圧と温度で動作し、高いスイッチング周波数で効率を高められる。冷却の要求が減り、受動部品も小さくできるため、同等のSiデバイスより小型化でき、システムコストの低下にもつながるとされる。
モータや発電機、産業機器の電力変換効率の改善に有効とされる。SiCやGaNに加え、酸化ガリウムやダイヤモンドなども次世代のWBG材料として研究されている。