Nearfield Instruments、先端3D半導体メトロロジー向けに Sidewall Imaging Mode を発表

Nearfield Instruments introduces Sidewall Imaging Mode for advanced 3D semiconductor metrology

Nearfield Instruments は QUADRA プラットフォーム向けに Sidewall Imaging Mode を投入し、先端デバイスの側壁を非破壊でインライン3Dプロファイリングできるようにした。破壊検査である TEM を補完するリアルタイムの側壁計測を提供し、AI チップ製造の課題に対応する。gate-all-around や CFET など次世代3D構造のプロセス制御を狙う。同社はこの技術を SPIE Advanced Lithography + Patterning 2026 で発表した。