チップレットを搭載・相互接続するガラスやシリコンの中間基板に光回路を集積し、ダイ間の通信を金属配線ではなく光で行う実装技術である。光の経路制御をプロセッサの直下で行うため任意のチップレット間を直接結べ、電気配線に比べて遅延と消費エネルギーを削減できるとされる。
レーザー、パルス発生器、変調器、非線形素子、ファイバとチップの結合器といった光学素子を一つのチップ上に集積した回路である。シリコン、窒化シリコン、ニオブ酸リチウム、AlGaAs などの材料基盤が用いられる。コヒーレント通信、波長・空間・モードの多重化、光信号処理、量子情報処理を担う。
センシング、計時、信号処理、生体医療診断といった重要な用途を担う集積デバイスである。米国国立標準技術研究所（NIST）は、その部品が無線通信、自動車、航空宇宙システム、医療機器、民生品で広く使われるようになったとし、スマートフォンに載る加速度計、ジャイロスコープ、マイクロフォン、ディスプレイ、RFフィルタ・発振器を例に挙げる。新たな機能をもたらす基盤技術と位置づけられる。
印刷や塗布の工程で電子部品を作る付加的な製造手法。スクリーン印刷、スプレー塗布、ロール・トゥ・ロールなどを用い、堆積する材料の種類・厚さ・分布・パターンを精密に制御できる。柔軟な基材の上に大面積で作れるため、センサー、ディスプレイ、エネルギーデバイスに用いられる。
サイズ100µm未満の無機半導体pn接合ダイオード。赤色はIII-V族、緑・青色はIII族窒化物のヘテロ構造で構成される自発光素子。
降圧コンバータの電力段を複数並列に配置し、位相をずらして順に動作させる電源回路である。各相のリプル電流が互いに打ち消し合うため入出力のリプルが小さくなり、損失と発熱も分散する。プロセッサやAI加速器のように低電圧で大電流を要求する負荷への給電で標準的に用いられる。
パッケージ内のチップレット同士を接続するダイ・ツー・ダイ・インターコネクトのオープン規格。UCIe Consortiumはパッケージ内のチップレット間接続を定義するとしており、独自仕様に依存しないチップレットのエコシステム形成を目的に掲げている。
4つの電圧レベルを用いて1シンボルあたり2ビットを伝送する多値パルス振幅変調方式。同じチャネル帯域で従来のNRZの2倍のデータレートを得られる一方、レベル間の判別しきい値が狭まって信号対雑音比が劣化するため、前方誤り訂正（FEC）との併用が前提となる。
無償で一般に公開されているオープン標準の命令セットアーキテクチャ（ISA）。仕様、拡張、関連文書はRISC-V Internationalの会員が共同で策定・批准・維持しており、基本ISAと必要な拡張の組み合わせで構成される。批准（Ratified）後の仕様は変更されない。
立方晶（閃亜鉛鉱型）構造をとる窒化ガリウム。六方晶ウルツ鉱型GaNと異なり内部電界を持たず、バンドギャップがより狭い準安定相。
同期式ディジタル回路を、ハードウェアレジスタ間の信号（データ）の流れと、その信号に施される論理演算として記述する設計の抽象度。VerilogやVHDLなどのハードウェア記述言語で記述し、論理合成によってゲートレベルの記述へ変換してASICやFPGAの実装につなげる。